分子線エピタキシ装置
(Molecular Beam Epitaxy : MBE)
| MBE(molecular beam epitxy :分子線エピタキシ)法は，各原料を加熱し，その分子線を基板に到達させて結晶成長（エピタキシャル成長）を行う方法です。蒸着（メッキ）法の一種ですが，一般の蒸着法とは以下の点で大きく異なっています。
・超高真空チャンバ内で行う ：チャンバ内を真空ポンプで引き，さらに周りを液体窒素で冷却することによって超高真空（10-10Torr程度）にします。そのため，チャンバ内の残留大気は非常に少なくなります。原料原子は装置内で他の分子と衝突せずに直進できるので，分子線として振る舞い，原料原子の中間反応を避けることができます。また，装置内の清浄度が高いため，不純物の混入を低減できます。 ・原料原子の温度を独立に制御できる ：各原料はそれぞれクヌーセンセルに入れており，それぞれの分子線強度をセルの温度によって制御します。分子線のオン・オフはセル前のシャッタによって行い，原子層レベルの組成制御が可能です。 ・その場観察装置が利用できる ：ほとんどのMBE装置には反射高エネルギ電子回折(RHEED)が設置されており，これを用いて成長表面の観察，原子層レベルでのその場の成長モニタを行っています。また，走査型電子顕微鏡(SEM)，走査型トンネル顕微鏡(STM)などを用いることにより，大気に晒さずに清浄な試料表面を観察できます。 これらの特徴により，界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができます。そのため，超格子構造やヘテロ構造などの作製に多く用いられています。 |
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